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时间:2024-06-26 20:16点击量:


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  小型封装内置第4代SiC MOSFET,实现业界超高功率密度,助力xEV逆变器实现小型化!

  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向300kW以下的xEV(电动汽车)用牵引逆变器,开发出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack”,共4款产品(750V 2个型号:BSTxxxD08P4A1x4,1

  Vishay推出升级版TFBS4xx和TFDU4xx系列红外收发器模块,延长链路距离,提高抗ESD可靠性

  器件符合IrDA®标准,采用内部开发的新型IC和表面发射器芯片技术,可以即插即用的方式替换现有解决方案美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海 — 2024年3月13日— 日前,威世科技

  Transphorm发布两款4引脚TO-247封装器件,针对高功率服务器、可再生能源、工业电力转换领域扩展产品线

  加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17日 — 全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商 Transphorm, Inc.(纳斯达克:TGAN)今日宣布推出两款采用 4 引脚&

  轻装上阵·信号无忧 超便携函数/波形信号发生器DG900 Pro/800 Pro系列亮眼登场!

  2023年11月,普源精电 (RIGOL) 推出全新DG900 Pr/800 Pro系列超便携函数/任意波形发生器!该系列产品运用RIGOL专有的SiFi? Ⅱ高保真信号合成技术,可以产生低噪声、低失线年,中国先进芯片,寸步难行,全球份额一直为1%?

  众所周知,目前的芯片产业,以28nm工艺为分界点。 28nm(含22nm,因为22nm实际也是28nm工艺)以及高于28nm工艺的称之为成熟工艺,而低于28nm的,比如16nm、14nm、12nm、3nm、欧亿体育官网注册2nm等,均称之为先进工艺